RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2083
2206
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link