RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
43
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2083
2532
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link