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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Note globale
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2083
1851
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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