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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2083
2854
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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