RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2083
3562
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link