RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
85
Autour de 54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
85
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2431
1277
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link