RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
3136
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link