RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2823
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link