RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
36
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
3260
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link