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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de -9% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2284
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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