RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
54
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
48
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2080
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link