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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
54
Autour de -69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3137
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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