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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
54
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3374
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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