RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
54
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
21
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2981
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link