RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
54
Autour de -184% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2994
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link