RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
54
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2756
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link