Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Note globale
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Note globale
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Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 11.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 54
    Autour de -80% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    5.9 left arrow 1,308.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 5300
    Autour de 3.62 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    54 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,573.5 left arrow 11.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,308.1 left arrow 5.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    371 left arrow 1984
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons