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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
54
Autour de -145% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3296
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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