RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1578
3832
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link