RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
72
Autour de -112% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2583
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link