RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
72
Autour de -50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
48
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
3047
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link