RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
72
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2882
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link