RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
72
Autour de -36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
53
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
10.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2319
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link