RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
64
Autour de -113% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3044
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link