RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
64
Autour de -220% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3619
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link