RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
64
Autour de -83% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2566
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link