RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
64
Autour de -178% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3081
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link