RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
64
Autour de -78% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2907
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link