RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
64
Autour de -121% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3567
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link