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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
64
Autour de -121% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3925
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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