RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
64
Autour de -191% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3264
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link