RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
64
Autour de -106% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2605
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link