RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
2,256.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
64
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2205
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link