RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
64
Autour de -78% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2696
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link