RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
42
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3170
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link