RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3279
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link