RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3495
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link