RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3068
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link