RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
1699
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link