RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2855
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link