RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
74
Autour de 43% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
74
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
1849
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-4GBSQ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link