RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
42
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
22
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3188
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link