RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3889
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link