RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
8.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2079
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link