RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
42
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2179
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link