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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2619
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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