RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
71
Autour de 41% latence réduite
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
71
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
1789
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link