RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
42
Autour de -121% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3521
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link