RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3279
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link