RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3091
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link